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STF26NM60N N溝道MOSFET功率晶體管
主要特性包括:低導通電阻: 硅襯底技術和優(yōu)化的溝道設計,實現低導通電阻,有效降低功率損耗。高速開關特性: 快速響應時間和低開關損耗,支持高頻率運行。優(yōu)化的熱管理: 設計有利于熱分布和散熱,提高器件的可 ...
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產品簡介 / Introduction

主要特性包括:

  • 低導通電阻: 硅襯底技術和優(yōu)化的溝道設計,實現低導通電阻,有效降低功率損耗。

  • 高速開關特性: 快速響應時間和低開關損耗,支持高頻率運行。

  • 優(yōu)化的熱管理: 設計有利于熱分布和散熱,提高器件的可靠性和長期穩(wěn)定性。2024062507267_56301

  • 廣泛的應用適用性: 適用于電源管理、功率放大、馬達控制和其它需要高效率功率轉換的電子設備和系統。

STF26NM60N的品牌制造商采用先進的生產工藝和嚴格的質量控制標準,確保每一顆器件都具備卓越的性能和可靠性。無論是工業(yè)自動化、電力電子、還是消費電子,STF26NM60N都是一個理想的選擇,能夠滿足多樣化的功率管理需求。

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