三星電子的半導(dǎo)體部門正在面臨前所未有的挑戰(zhàn)，其營(yíng)收貢獻(xiàn)已不如以往。近期，一位在半導(dǎo)體領(lǐng)域享有盛譽(yù)的專家，曾在臺(tái)積電工作近20年的林俊成，確認(rèn)已離開三星，結(jié)束了其在三星的兩年職務(wù)。林俊成于1999年至2017年在臺(tái)積電任職，積累了豐富的晶片封裝技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，并于2022年加入三星半導(dǎo)體研究中心，擔(dān)任副總裁，主要負(fù)責(zé)晶片封裝技術(shù)的研發(fā)。

隨著摩爾定律的逐步逼近極限，封裝技術(shù)已成為推動(dòng)下一代先進(jìn)晶片性能的重要因素。在這一背景下，三星自2022年起加大對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)的投資，組建了一個(gè)強(qiáng)大的封裝研發(fā)團(tuán)隊(duì)，力圖在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中占據(jù)一席之地。林俊成的加入，無(wú)疑是三星為擴(kuò)大封裝業(yè)務(wù)所做的重要戰(zhàn)略部署。其深厚的封裝技術(shù)背景與在臺(tái)積電的多年經(jīng)驗(yàn)，為三星的封裝技術(shù)研發(fā)注入了強(qiáng)大的動(dòng)力。

在三星工作期間，林俊成為多個(gè)重大封裝項(xiàng)目的核心人物，特別是在HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)的研發(fā)方面，他為HBM4記憶體的封裝技術(shù)開發(fā)做出了不可忽視的貢獻(xiàn)。HBM4作為三星在未來(lái)AI浪潮中的重要技術(shù)突破，承載著巨大的期望。在全球范圍內(nèi)，三星的HBM3E市場(chǎng)份額落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士，因此，三星對(duì)HBM4的投入和重視度顯得尤為重要。這一技術(shù)的成功與否，將直接影響三星在AI計(jì)算領(lǐng)域的市場(chǎng)份額和競(jìng)爭(zhēng)力。

林俊成還參與了多個(gè)先進(jìn)封裝技術(shù)的研發(fā)項(xiàng)目，其中包括用于3D IC的銅混合鍵合技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)被認(rèn)為是未來(lái)3D芯片封裝的關(guān)鍵突破。此技術(shù)的應(yīng)用，可以大幅提高芯片的集成度和性能，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵方向之一。林俊成在這一領(lǐng)域的貢獻(xiàn)，不僅提升了三星的封裝能力，也為全球封裝技術(shù)的發(fā)展帶來(lái)了深遠(yuǎn)影響。

在離開三星后，林俊成在LinkedIn上確認(rèn)了其離職的消息，并表示為期兩年的合約已經(jīng)到期。他還強(qiáng)調(diào)自己在三星期間為先進(jìn)封裝技術(shù)做出的貢獻(xiàn)，包括HBM-16H的研發(fā)，這一成果對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)意義深遠(yuǎn)。

林俊成的離職標(biāo)志著三星半導(dǎo)體封裝團(tuán)隊(duì)的一個(gè)重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)。隨著全球半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的日益激烈，三星如何繼續(xù)推進(jìn)其封裝技術(shù)的發(fā)展，并迎接未來(lái)技術(shù)挑戰(zhàn)，將是業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。

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